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场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）和晶体管（BJT）都是电子器件，用于放大信号或开关操作。以下是它们之间的相同点和不同点。
1、都是半导体器件，具有放大信号的能力。
2、都用于放大电路、开关电路等电子电路中。
不同点：
1、结构：晶体管是结型器件，由PN结组成，而场效应管则是场效应器件，其工作原理是通过电场控制电荷的运动。
2、工作原理：晶体管通过控制基极电流来放大信号，具有电流控制的特点，而场效应管则是通过改变电场来控制漏极电流，具有电压控制的特点。
3、偏置电路：晶体管的偏置电路相对复杂，需要设置合适的偏置电压和偏置电流，而场效应管的偏置电路相对简单。
至于“场效应管和场效应晶体管”的关系，场效应晶体管是场效应管的一种类型，场效应晶体管是一种利用电场效应原理工作的晶体管，它采用多数载流子导电，因此具有输入阻抗高、噪声系数小等优点，与普通的晶体管相比，场效应晶体管在某些方面（如功率处理能力）可能有所不足。
场效应管和晶体管在结构、工作原理和性能等方面有所不同，而场效应晶体管是场效应管的一种类型，具有其特定的优点和应用领域。